ONKYO M−509 2台目修理記録
平成17年6月27日到着   9月30日完成
A. 修理前の状況
  • R側システム1  音が出ない。
    R側システム2  ボン!ボソボソと音が出て、スピーカーのコーンを大きく揺らしてから保護回路が働きます。
    L側は音が出ます。
     このアンプは、先輩が所有していたのですが、デザインと疲れない音が気に入り、頼み込んで譲っていただきました。
     1年ほど前までは、快調に音を出していましたが、
    保護回路が時々働くようになり、それでも鳴らしていたら無音。
    おそるおそるシステム2に切り替えてみるとボソボソと音がしました。

B. 原因
  • 経年変化による各部劣化

C. 修理状況
D.使用部品
  • 前段TR(トランジスター)                      4個。
    初段FET                                2個。
    RLバイアス半固定VR                       12個。
    電解コンデンサー                            個。
    SP接続リレー                             4個。
    他リレー                                5個。
    RCA端子 WBT−0201                     1組2個。

E.調整・測定

F. 修理費   107,800円    オーバーホール修理。

S. ONKYO M−509 の仕様(カタログ・マニアルより)

A. 修理前の状況
A1. 修理前点検中 上から見る。
A2. 修理前点検中 下から見る。
C. 修理状況
C11. 修理前 Rドライブ基板。 上の白いコネクターで終段TR(トランジスター)と接続する。 これが接続不良になると 終段TR(トランジスター)が死ぬ、W配線くらいの配慮が欲しい。
C12. 修理後 Rドライブ基板。 初段FET、バイアス調整用半固定VR、電解コンデンサー7個交換。
                      DCカットフイルムコンデンサー追加。
C13. 修理後 Rドライブ基板。 ラッピングに半田を流し込む。
C14. 修理前 Rドライブ基板裏。
C15. 修理(半田補正)後 Rドライブ基板裏。 半田を全部やり直す。
C16. 完成Rドライブ基板裏。 洗浄後コートを塗る。
C21. 修理前 Lドライブ基板。 上の白いコネクターで終段TR(トランジスター)と接続する。 これが接続不良になると 終段TR(トランジスター)が死ぬ、W配線くらいの配慮が欲しい。
C22. 修理後 Lドライブ基板。 初段FET、バイアス調整用半固定VR、電解コンデンサー7個交換。
                      DCカットフイルムコンデンサー追加。
C23. 修理後 Rドライブ基板。 ラッピングに半田を流し込む。
C24. 修理前 Lドライブ基板裏。
C25. 修理(半田補正)後 Lドライブ基板裏。 半田を全部やり直す。
C26. 完成Lドライブ基板裏 洗浄後コートを塗る。
C31. 修理前 R側終段TR(トランジスター)基盤。
C32. 修理(半田補正)後 R側終段TR(トランジスター)基盤。
C33.完成R側終段TR(トランジスター)基盤 洗浄後コートを塗る。
C41. 修理前 L側終段TR(トランジスター)基盤。
C42. 修理(半田補正)後 L側終段TR(トランジスター)基盤。
C43.完成L側終段TR(トランジスター)基盤 洗浄後コートを塗る。
C51. 修理前 整流・定電圧・VUアンプ基板。
C52. 修理後 整流・定電圧・VUアンプ基板。 VU用半固定VR4個、電源リレー1個、電解コンデンサー15個交換。 遅延回路変更。
C53. 修理前 整流・定電圧・VUアンプ基板裏。
C54. 修理前 整流・定電圧・VUアンプ基板裏。 半田不良予備軍。
C55. 修理(半田補正)後 整流・定電圧・VU基板裏。 全ての半田をやり修す。
C56.完成整流・定電圧・VU基板裏。 洗浄後コートを塗る。
C57. 修理前 整流・定電圧・VUアンプ基板R側ラッピング。
C58. 修理後 整流・定電圧・VUアンプ基板R側ラッピング。 半田を流し込む。
C59. 修理前 整流・定電圧・VUアンプ基板L側ラッピング。
C5A. 修理後 整流・定電圧・VUアンプ基板ラッピングL側。 半田を流し込む。
C61. 修理前 SP接続リレー基板。
C62. 修理後 SP接続リレー基板。 リレ−5個、電解コンデンサー12個交換。
C63. 修理前 SP接続リレー基板 L側ラッピング。
C64. 修理後 SP接続リレー基板 L側ラッピング。 半田を流し込む。
C65. 修理前 SP接続リレー基板 R側ラッピング。
C66. 修理後 SP接続リレー基板 R側ラッピング。 半田を流し込む。
C67. 修理前 SP接続リレー基板裏。
C68. 修理(半田補正)後 SP接続リレー基板裏。 全ての半田をやり修す。
C69.完成SP接続リレー基板裏 洗浄後コートを塗る。
C70.全面パネルを取り修理中。
C71. 修理前 電源SW 戻らない、シゴクトやっと戻る。 接点が焼損している場合は、リレー投入に改造が必要。
C72. 修理中 電源SW 分解する。
C73. 修理中 電源SW 接点はかなり焼けている。
C74. 修理後 電源SW 接点を研磨してみ付け。しばらくは持つでしょう。
C75. 修理後 やはり電源投入リレーを増設する。 よって上記のSWはこのリレーを入/切りするのみ。
           リレー接点容量は10A×2。
C81. 修理前 SW・VR基板。
C82. 修理中 SW・VR基板裏 VR清掃中。
C83. 修理前 SW・VR基板裏。
C84. 修理後 SW・VR基板裏 半田補正後洗浄し、コートを塗る。
C85.完成SW・VR基板裏。
C91. 修理前 RCA端子。
C92. 修理後 RCA端子   WBT−0201 使用。
CA1.交換した部品。
CB1. 修理前 上から見る。
CB2. 修理後 上から見る。
CB3. 修理前 下から見る。
CB4. 修理後 下から見る。
E. 調整・測定
E0.出力/歪み率測定・調整
    <見方>
     下左オーデオ発振器より400HZ・1KHZの信号を出す(歪み率=約0.003%)
     下中=入力波形(オーデオ発振器のTTLレベル) 下右=周波数計
     上左=SP出力の歪み率測定 左メ−タ−=L出力、右メ−タ−=R出力
     上中=SP出力電圧測定器、赤針=R出力、黒針=L出力
     上右=SP出力波形オシロ 上=R出力、下=L出力(出力電圧測定器の出力)
E11.R側SP出力、41V=210W出力 0.02%歪み 1000HZ
E12.R側SP出力、41V=210W出力 0.02%歪み 400HZ
E13.L側SP出力、41V=210W出力 0.02%歪み 1000HZ
E14.L側SP出力、41V=210W出力 0.01%歪み 400HZ
E21.その時のVUメーター表示
S. ONKYO M−509 の仕様(カタログ・マニアルより) 
型式 Wスーパーサーボ方式 ステレオパワーアンプ ONKYO M−509
アンプ部
実効出力(20Hz〜20kHz) 280W+280W(4Ω)、 200W+200W(8Ω)
ダイナミックパワー(1kHz) 280W+280W(8Ω)
全高調波歪率(THD、20Hz〜20kHz、実効出力時) 0.003%以下
混変調歪率(70Hz:70kHz=4:1、実効出力時) 0.003%以下
パワーバンドウィズス(IHF-3dB、THD 0.2%) 5Hz〜100kHz
利得 28.5dB
周波数特性 1Hz〜100kHz (+0 -1.5dB)
S/N(IHF-Aネットワーク、入力シャント) 120dB
入力感度/インピーダンス 1.5V/47kΩ
スピーカー負荷インピーダンス 4Ω〜16Ω
ダンピングファクター(8Ω、1kHz) 200
出力端子 Speaker System-1、System2、Headphone
トランジェントキラー動作時間 Power on/of :5sec/100msec
メータ部
レンジ切換え x1(0dB=200W)、 x0.1(0dB=20W)
指示範囲 -40dB〜-4dB
指示精度 0±1dB、-10±2dB、-20±3dB
応答速度(-∞→0dB) 100μsec
復帰速度(0dB→-20dB) 1sec
総合
使用半導体 トランジスタ:82個、 FET:4個、 IC:7個、 ダイオード:86個
電源電圧 AC100V、50Hz/60Hz
AC出力 Powerスイッチ非連動、600W最大
消費電力(電気用品取締法) 320W
外形寸法 幅480x高さ191x奥行439mm
重量 31kg
価格 ¥350,000(1983年頃)
                      m509-2-1n
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